반도체동반성장

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턴웨이퍼 지원 프로그램

우리나라 반도체 장비·재료 산업의 경쟁력 향상을 위하여 테스트용 패턴웨이퍼를 지원합니다.

지원 패턴

  • Blanket_Type

    • Blanket Poly Type

      - 규격 : 200mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å / Poly 2,000Å

    • Blanket_Oxide

      - 규격 : 200mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å

    • Blanket_Nit

      - 규격 : 200mm
      - Sub Si / Ox 7,500Å / Nitride 1,100Å

    • EPI

      - 규격 : 200mm
      - Sub Si / EPI 7.1um

    • Blanket_PR

      - 규격 : 200mm
      - 9500Å/16500Å/20000Å/25000Å/35000 (PR THK.)

    • Metal, Dielectric

      - 규격 : 200mm
      - Ti, TiN, Al, W, SiO2, SiN, SiON중 선택 가능

  • Bar/Hole Type

    • Photo

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width : 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/ACL/SiON/BARC/PR

    • SiN Depo

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/SiN 150Å

    • Mask Etch

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/ACL/SiON

    • SiN Spacer Etch

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/Trench와 Hole 양 측면에만 SiN 150Å 씩 잔존

    • Trench Etch

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm (Ashing 및 Strip 완료)

  • Bar Type

    • Bar_Standard

      - 규격 : 300mm
      - Pattern Size : Space/width : 40nm/40nm
      - Si Trench Depth : 4,000Å

    • Bar_No_Ashing

      - 규격 : 300mm
      - Bar_Standard Pattern, Etch까지만 진행
      - Si/PE-TEOS/ACL

    • Bar_Gap Fill-2

      - 규격 : 200mm
      - Bar_Standard Pattern, Liner Ox and Liner Ox/ Liner Nit
      - Si Trench/Liner Ox/Liner Nit

    • Bar_PR_Mask

      - 규격 : 300mm
      - Bar_Standard Pattern, Mask 상태
      - Si/PE-TEOS/ACL/SiON/BARC/PR

    • Bar_Gap Fill

      - 규격 : 300mm
      - Bar_Standard Pattern, SOD Gap Fill 상태
      - Si Trench/Liner Ox/Liner Nit/SOD 5,500Å

    Hole Type

    • Hole_Standard

      - 규격 : 300mm
      - Pattern Size : Space/width : 80nm/80nm
      - Hole Depth : 20,000Å

    • Hole_No_Ashing

      - 규격 : 300mm
      - Pattern Size : Space/width : 80nm/80nm, Etch까지만 진행
      - Hole Depth : 20,000Å

    Blanket Type

    • Blanket_Poly

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å / Poly 5,000Å

    • Blanket_Oxide

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å

    • Blanket_Nit

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / Ox 10,000 / Nitride 1,000Å

    • Blanket_PR

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / PR 27,000Å

    • Blanket_PR_Imp1

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / PR 5,000Å / Boron Doping : 5KeV, 5E13

    • Blanket_PR_Imp1

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / PR 5,000Å / Phosphine Doping : 20KeV, 1E14

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