반도체상생협력

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패턴웨이퍼 지원 프로그램

우리나라 반도체 장비·재료 산업의 경쟁력 향상을 위하여 테스트용 패턴웨이퍼를 지원합니다.

지원 패턴

  • Blanket_Type

    • Blanket Poly Type

      - 규격 : 200mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å / Poly 2,000Å

    • Blanket_Oxide

      - 규격 : 200mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å

    • Blanket_Nit

      - 규격 : 200mm
      - Sub Si / Ox 7,500Å / Nitride 1,100Å

    • EPI

      - 규격 : 200mm
      - Sub Si / EPI 7.1um

    • Blanket_PR

      - 규격 : 200mm
      - 9500Å/16500Å/20000Å/25000Å/35000 (PR THK.)

    • Metal, Dielectric

      - 규격 : 200mm
      - Ti, TiN, Al, W, SiO2, SiN, SiON중 선택 가능

  • Bar/Hole Type

    • Photo

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width : 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/ACL/SiON/BARC/PR

    • SiN Depo

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/SiN 150Å

    • Mask Etch

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/ACL/SiON

    • SiN Spacer Etch

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm/Trench와 Hole 양 측면에만 SiN 150Å 씩 잔존

    • Trench Etch

      - 규격 : 300mm
      - Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
      - Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
      - 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um, 90도 Rotated Pattern 추가
      - Si/SiO₂ 2,400 nm (Ashing 및 Strip 완료)

    Blanket_Type

    • Blanket_W

      - 규격 : 300mm
      - Si/SiO2/TiN/W
      - SiO2(PETEOS): 24,000±2,400Å
      - TiN: 300±30Å
      - W: 6,000±600Å

    • Blanket_ACL

      - 규격 : 300mm
      - Si/SiO2/ACL
      - SiO2(PETEOS): 24,000±2,400Å
      - ACL: 12,000±1,200Å

    • Blanket_Oxide

      - 규격 : 300mm
      - Si/SiO2
      - SiO2(PETEOS): 24,000±2,400Å

  • Bar Type

    * 각 패턴 종류별 제작 가능한 패턴 사이즈 정보는 첨부된 Catalogue 확인 바랍니다.

    • Bar_Standard

      - 규격 : 300mm
      - Pattern Size : Space / Width : 38~100nm / 38~715nm
      - Si Trench Depth : 4,000Å

    • Bar_No_Ashing

      - 규격 : 300mm
      - Bar_Standard Pattern, Etch까지만 진행
      - Si/PE-TEOS/ACL

      PE-TEOS ( 공정종류:CVD / THK:1500Å / 사용precursor:TEOS,O2 / 증착온도:400°C ) ACL ( 공정종류:CVD / THK:1000Å / 사용precursor:C3H6 / 증착온도:550°C )

    • Bar_Gap Fill-2

      - 규격 : 300mm
      - Bar_Standard Pattern, Liner Ox and Liner Ox/ Liner Nit
      - Si Trench/Liner Ox/Liner Nit

      Liner NIT ( 공정종류:Furnace ALD / THK:400Å / 사용precursor:DCS,NH3 / 증착온도:620°C ) Liner OX ( 공정종류:CVD / THK:100Å / 사용precursor:DCS,N2O / 증착온도:830°C )

    • Bar_PR_Mask

      - 규격 : 300mm
      - Bar_Standard Pattern, Mask 상태
      - Si/PE-TEOS/ACL/SiON/BARC/PR

      PE-TEOS ( 공정종류:CVD / THK:1500Å / 사용precursor:TEOS,O2 / 증착온도:400°C ) ACL ( 공정종류:CVD / THK:1000Å / 사용precursor:C3H6 / 증착온도:550°C ) BARC ( 공정종류:SPIN-COAT / THK:230Å / 사용precursor:- / 증착온도:230°C ) PR ( 공정종류:SPIN-COAT / THK:800Å / 사용precursor:- / 증착온도:90°C )

    • Bar_Gap Fill

      - 규격 : 300mm
      - Bar_Standard Pattern, SOD Gap Fill 상태
      - Si Trench/Liner Ox/Liner Nit/SOD 5,500Å

      Liner NIT ( 공정종류:Furnace ALD / THK:400Å / 사용precursor:DCS,NH3 / 증착온도:620°C ) Liner OX ( 공정종류:CVD / THK:100Å / 사용precursor:DCS,N2O / 증착온도:830°C ) SOD ( 공정종류:SPIN-COAT / THK:5500Å / 사용precursor:- / 증착온도:150°C )

    Hole Type

    • Hole_Standard

      - 규격 : 300mm
      - Pattern Size : Space / Width : 50~370nm / 50~1600nm
      - Hole Depth : 20,000Å

      PE-TEOS ( 공정종류:CVD / THK:20000Å / 사용precursor:TEOS,O2 / 증착온도:400°C )

    • Hole_No_Ashing

      - 규격 : 300mm
      - Pattern Size : Space / Width : 50~370nm / 50~1600nm
      - Hole Depth : 20,000Å

      PE-TEOS ( 공정종류:CVD / THK:20000Å / 사용precursor:TEOS,O2 / 증착온도:400°C ) ACL ( 공정종류:CVD / THK:900Å / 사용precursor:C3H6 / 증착온도:300°C )

    Blanket Type

    • Blanket_Poly

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å / Poly 5,000Å

      Poly ( 공정종류:CVD Undoped Poly / THK:5000Å / 사용precursor:SIH4 / 증착온도:550°C ) Oxide( 공정종류:Wet Oxidation / THK:1000Å / 사용precursor:H2,O2 / 증착온도:700°C )

    • Blanket_Oxide

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å

      Oxide( 공정종류:Wet Oxidation / THK:1000Å / 사용precursor:H2,O2 / 증착온도:700°C )

    • Blanket_Nit

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / Ox 10,000 / Nitride 1,000Å

      NIT ( 공정종류:CVD / THK:1020Å / 사용precursor:DCS,NH3 / 증착온도:600°C ) Oxide( 공정종류:Wet Oxidation / THK:1000Å / 사용precursor:H2,O2 / 증착온도:700°C )

    • Blanket_PR

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / PR 27,000Å

      PR ( 공정종류:SPIN-COAT / THK:27000Å / 사용precursor:- / 증착온도:90°C )

    • Blanket_PR_Imp1

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / PR 5,000Å / Boron Doping : 5KeV, 5E13

      PR_IMP1 ( 공정종류:Boron Doping:BF3,5Kev,5E13, / THK:- / 사용precursor:BF3 / 증착온도:- )

    • Blanket_PR_Imp2

      - 규격 : 300mm
      - Sub_Si / PR 5,000Å / Phosphine Doping : 20KeV, 1E14

      PR_IMP2 ( 공정종류:Phosphine Doping:PH3,20Key,1E14 / THK:- / 사용precursor:PH3 / 증착온도:- )

  • Blanket_Type

    • Blanket Poly Type

      - 규격 : 200mm
      - Sub_Si / Ox 1,000Å / Poly 2,000Å

    • Blanket_Oxide

      - 규격 : 200mm, 300mm
      - 200mm
        ∙ Sub_Si /Ox 1,000~20,000 Å
      - 300mm
        ∙ Sub_Si /Ox 1,000 Å

    • Blanket_Nit

      - 규격 : 200mm, 300mm
      - 200mm
        ∙ Sub_Si / Ox 7,500 Å / Nitride 1,100 Å
      - 300mm
        ∙ Sub_Si / Ox 10,000 Å / Nitride 1,000 Å

    • Blanket_PR

      - 규격 : 200mm, 300mm
      - 200mm
        ∙ Sub_Si / I-line PR 8,000~15,000 Å
        ∙ Sub_Si / KrF PR 5,000~10,000 Å
        ∙ Sub_Si / ArF PR 2,000~6,000 Å
      - 300mm
        ∙ Sub_Si / ArF PR 2,000~6,000 Å

    • Metal, Dielectric, ACL

      - 규격 : 200mm
      - Metal
        ∙ Ti, TiN, Al, W 중 선택
      - Dielectric, ACL
        ∙ SiO₂ , SiN, SiON, ACL 중 선택

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